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步進電機的普及使人類挺進了機器時代，它的發明使得工業機器人能夠幫助人類完成許多高危、枯燥的工作，它的應用和普及極大地解放了勞動生產力。正如馬克思在《資本論》里對生產關系那一段經典的論述，認為生產力的發展是推動社會關系變革的重要因素，同時，隨著生產力的提高，勞動者產生對更好勞動條件、更公平的勞動分配等要求，這反過來會催生新的生產關系的產生和演變。這種關系相互影響、相輔相成使得社會生產水品得到大幅提高，人民生活水品得到極大改善。

步進電機的普及是很成功的發明和應用。它的安全、穩定和高效的運行離不開內部嚴密的驅動控制，而優秀的PCBA控制板自然離不開高品質的半導體元器件。MOS管作為PCBA板上關鍵性的元器件，它的性價比在降本增效方面起到很大作用。廣東場效應半導體有限公司（即Cmos品牌），立足行業，勇立潮頭，本著解決行業痛點為己任，開發出一系列適配于步進、伺服驅動控制半導體器件，投放到市場收到不同凡響的聲音。

CMD50N06T MOSFET是Cmos推出的一款在低壓領域具有超高性價比的場效應管，其部分參數將在下文做一一解讀。

封裝形式

CMD50N06T MOSFET是一款N溝道場效應管，為了匹配客戶不同應用環境 ，生產出貼片和插件兩種封裝形式，其內部拓撲結構如下：

漏源電壓是指場效應管工作時的耐壓能力。CMD50N06T其最大工作電壓為60V，是一款低壓MOS管，我們都知道，電壓60V是一個重要的節點，像調速控矩的步進電機控制，電動汽車領域等等很多設備設施都可以適用。

漏源電流是指場效應管正常工作時流過漏極和源極的最大電流，CMD50N06T最大電流達到50A，具有相對較強的過流能力，能夠滿足大部分應用電路的功率需求。

開啟電壓場效應管是一種用柵極電壓控制漏極/源極電流的半導體器件，開啟電壓VGS的大小決定了MOS管工作時功率的輸出情況。CMD50N06TMOSFET最大開啟電壓為3V，在實際應用中要想使MOS管導通內阻更低，VGS要足夠大，建議VGS>10V為最佳。

場效應管的物理結構決定了其工作時的電性特點。作為高達到數百KHZ以上的高頻開關，每一次的開關都是Cgs電容充放電的過程，而這個電容的大小直接決定了場效應管的開關時間和開關頻率。步進電機驅動控制方案核心是通過調速達到控制電機的速度，這里的“速度”就受到Cgs的影響，所以在選場效應管時盡可能選擇Cgs小的，以避免因為該電容引起電路的協調性。

CMD50N06T MOSFET 的Ciss，Coss，Crss三個電容值都相對較小，所以無論是在步進驅動控制上還是高頻次燈光調控方案上都有不俗表現，內阻低，損耗小，散熱性好，表現穩定可靠。

CMD50N06T場效應管在很多領域已經被廣泛應用，整體性能穩定，性價比極高，限于篇幅，本文未深入拓展，淺嘗輒止。如需了解詳細參數和索取樣品，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網www.tr150.com自行下載和聯系客戶經行索取，我們竭誠為您服務。