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CMP30N10：伺服控制器性價比之選
隨著工業4.0時代的到來，工業自動化技術將會得到飛速發展。傳統工業PLC控制已經不能滿足當下工業發展的需求，工業發展需要更加自由、靈活的控制方式為其提供服務。在眾多的控制系統中，伺服系統因其投放定位精準、響應速度快等特點，迅速得到發展和普及。
伺服電機（servo motor）作為伺服系統中最核心的機件，其控制速度、位置精度非常準確，可以將電壓信號轉化為轉矩和轉速以驅動控制對象。伺服電機轉子轉速受輸入信號控制，并能快速反應，在自動控制系統中，用作執行元件，且具有機電時間常數小、線性度高、始動電壓低等特性，可把所收到的電信號轉換成電動機軸上的角位移或角速度輸出。所以，響應時間快，能耗低是伺服控制網絡的特點之一。在無人化工業控制中其性能得到完美展現。
CMP30N10 MOSFET是廣東場效應半導體有限公司（Cmos）推出的一款伺服控制領域性價比之高的FET，客戶用在伺服電機驅動板中，因其超高的性價比和卓越的性能得到認可。
封裝形式
CMP30N10 MOSFET封裝形式及內部拓撲結構：
Cmos考慮到用戶使用場景的需要，CMP30N10 MOSFET提供TO-220和TO-263兩種不同的封裝形式可供用戶選擇，以便更好匹配用戶的網絡環境。
伺服控制器原理
圖3為伺服電機驅動控制圖，它由脈沖信號（PWM）發生控制單元、功率驅動單元(Gate Driver)、保護單元等組成。MCU相當于控制電機的大腦，它向功率MOSFET發送電機的步距角時間、轉動方向和重復次數等信號，功率MOSFET根據MCU發出的信號，通過OPA模塊放大電壓和電流并將其發送至電機，從而驅動電機動作。
電氣特性
耐壓和耐流：
CMP30N10 MOSFET工作時最大額定電壓VDS=100V，柵源電壓VGS=20V，以及連續漏源電路ID=30A，而最大開啟電壓VGSth=3V，這使得它的驅動電路將會更簡單，用單片機直接驅動即可，避免臃腫的驅動電路設計。其TO-220背部大散熱片式封裝以及熱阻RJC只有0.97℃/W的設計，使得CMP30N10在高負載條件下能夠更好地散熱，有效降低了溫升。
理想的動態參數
優秀的內阻值：CMP30N10 MOSFET導通內阻值RDS(ON)是變化的。如下圖所示，在MOSFET工作的線性區，RDS(ON)阻值隨著VGS呈線性變化，具體是如動態參數變化圖所示，總體趨勢是RDS(ON)隨著VGS增大而減小，知道MOSFET達到飽和狀態。由圖可得，當VGS=10V時，MOSFET已經達到飽和態，此時RDS(ON)最理想。
理想的電容參數：MOSFET的內部電容對管子開關時間的影響是非常大的，所以理解MOSFET自身電容參數對于匹配MOSFET在相應網絡環境中更好的工作非常有意義。
CISS：輸入功率組件驅動能力或損失時的參數，對MOS器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。
COSS：Coss = Cds +Cgd，由此可見Coss非常重要。
CRSS：反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對高頻切換動作最有不良影響，對于開關的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數為了提高組件高頻特性，Crss要愈低愈好。CMP30N10 MOSFET CISS、COSS、CRSS三項電容參數都很理想，這使得它在換相切換電路中表現出更為優秀的性能。
以上是對Cmos CMP30N10 MOSFET產品簡要的介紹，具體是以客戶應用在伺服控制領域為案例展開介紹。從這顆料自身卓越的電性參數來講還有更廣闊的應用空間，等待各位一起開發應用。如需詳細了解該料參數，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網：www.tr150.com。
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