CMD603 MOSFET：橋型電路應用的理想選擇

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MOSFET 作為現代電力電子電路中最重要的核心半導體器件之一，每一種相關電路的拓撲都含有一個或者多個 MOSFET 器件。MOSFET 器件的設計與性能影響著電路網絡整體的性能、效率、穩定性與可靠性。MOSFET 開關性器件對于控制網絡的電磁相容（EMC）也起著至關重要的作用。尤其像開關電源中 MOSFET 經常工作在高頻狀態(一般開關電源的工作頻率為 40KHZ~100KHZ)，因此 MOSFET 對于電磁相容中的輻射 EMI 往往產生重要的影響。

CMD603 MOSFET 是廣東場效應半導體有限公司推出一款 N+P 集成的雙芯 CMOS 產品，客戶應用在橋型電路網絡中，表現出優秀的散熱性和卓越抗干擾能力。

封裝形式

CMD603 MOSFET 采用 N MOS 管+P MOS 管雙芯集成 TO-252-4L 封裝形式。

封裝形式及內部拓撲結構如下：

三相全橋控制驅動馬達控制網絡

若適當增大器件的開通時間，即可在很大程度上減小振蕩幅值，一般技術方案會考慮在驅動芯片與 MOSFET 柵極間加設緩沖電路，即人為串接驅動電阻，在 MOSFET 柵源極間并聯電容以延長柵極電容的充電時間，降低電壓變化率。Cmos 公司另辟蹊徑，從輕量化電路著手，經過專業團隊驗證，研發給出自己特有的解決方案，長期堅持推出多款雙芯 MOSFET，實踐證明，這種方案，不僅在理論上可行，而且在實際應用網絡中能起到優化外圍臃腫的驅動電路網絡作用。

極低的開啟電壓：CMD603 MOSFET，N 管和 P 管的開啟電動勢 VGS（th）都不超過 2.5V，這將會使得驅動電路變得簡便。VGS（th）越高，MOS 管米勒平臺就越高，開啟越慢。直接反應在 MOSFET 的開啟電壓上，MOSFET 實際工作時驅動電壓必須大于平臺電壓，如果柵極驅動電壓長期工作在平臺附近，會導致器件不能完全打開，內阻急劇上升，從而器件產生相應的熱失效現象，這一條建議希望廣大用戶在使用時要特別注意。

理想的柵極電荷總量 Qg：Qg 是 MOS 柵極開啟時所必要的電荷量，影響著 MOS 的切換速度以及與時間相關聯的參數。CMD603 CMOSFET Qg=16nC，控制在相對低的水平，意味著 CMD603 CMOSFET 開關速度更快，相應的開關損耗更小，MOS 效率越高，溫升越低。CMD603 CMOSFET，在 VGS=10V 條件下，N 管的柵極電荷量 Qg=8NC，P 管的柵極電荷量為16 NC，N 管和 P 管電荷量的這種倍數級別差異，使得在橋式電路應用中表現出卓越性能。

較低的電容參數： 

MOSFET 的開啟和關斷時間主要受自身電容影響。所以，在特定的電路中合理的電容參數對器件的穩定性非常關鍵。

CMD603 CMOSFET 輸入電容 Ciss=1550Pf，當輸入電容充電至閾值電壓時器件才能開啟，放電至一定值時器件才可以關斷。因此驅動電路和 Ciss 對 MOS 器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。輸出電容 Coss=68Pf，Coss 對于軟開關的應用非常重要，因為它可能引起電路的諧振。而 MOS 管軟開關主要應用于馬達驅動電路和充電器電路等。

反向傳輸電容 Crss=49pF，反向傳輸電容等同于柵漏電容，即 Crss=Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對于開關的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數，它還影響著關斷延時時間。電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。

CMD603 CMOSFET Ciss、Coss、Crss 三項電容參數都控制在理想的較低值，使該料在橋型電路中表現出卓越的特性。

不同的 MOSFET 產品，根據其制造的工藝的差異性，參數表現會有所不同，在具體的應用環境中表現出的性能也不一樣。CMD603 CMOSFET 在橋型控制電路中表現效果理想，值得推薦。當然 CMD603 適用環境不僅限于此，客戶用在 LED 燈控，汽車電子，驅動板中表現出優良的性能。關于 CMD603 其它參數，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網 www.tr150.com 自行下載。