優秀超結MOS：CMH65R115P

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超結MOS以高耐壓、低內阻、低CISS、低QG，具有開關速度快、工作頻率高、開關損耗小、導通損耗小、轉化效率高、熱穩定性好、易驅動等特性，廣泛用于電源等電路中。

CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術，可以提供高效率。具有超結MOS的各種優點，可以很容易快速地應用到新的和現有的電源設計中。

CMH65R115P的主要電氣特性包括： 

耐壓與電流能力：CMH65R115P的耐壓（BVDSS）為650V，在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）可達33A。

低EMI：CMH65R115P采用Cmos先進的超結技術，應用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點。

溫升低：CMH65R115P采用TO-247封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.49℃/W，有很好的散熱能力。

導通損耗?。?/span>在柵極電壓（VGS）為10V時，CMH65R115P的導通電阻（RDS(on)）為0.115Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了電路的能效，使得在電源等電路使用中效率更高。

開關損耗小：較小的QG、CISS，使其具有優越的開關性能，較小的開關損耗。

CMH65R115P MOS管由于其優異的特性，適用于多種應用場景，在各種電源電路中表現優秀。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接影響工作時的溫升、可靠性、能效，低QG、低結電容，有較好的開關特性及低開關損耗。CMH65R115P表現出色，能夠很好地滿足電路需求。

MOS管在電力電子中起到重要作用，其性能直接影響整個電路的效率和穩定性。MOS管的導通電阻（RDS(on)）和熱阻（RθJC）是決定其導通性能和散熱能力的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗，提高效率，而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱，使器件不會過熱，從而延長其使用壽命。

CMH65R115P MOS管采用的TO-247封裝，通過優化半導體材料和制造工藝，CMOS成功地將這些優秀特性集成到CMH65R115P中，使其在電源電路應用中表現出色。