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Cmos多款完美適配電動車防盜器的MOSFET
2020年9月，我國明確提出“雙碳”標準，即在2030年達到“碳達峰”和在2060年達到“碳中核”的綠色發展的中長期目標。
綠色、低碳出行是減少碳排放的主要方式之一。為響應國家“雙碳”戰略目標，Cmos公司立足當下，持續在電動車領域發力，爆發式推產出CMD5950A/CMU5950A、CMD5952A/CMU5952A、CMP5970為代表的不同封裝、不同耐壓的MOSFET半導體器件，客戶可以根據自己的網絡使用環境匹配選擇合適的半導體控制器件，從而滿足不同需求。為客戶提供安全，優質的控制半導體器件。
選擇MOS需要考慮以下幾個關鍵特點和要求：
電壓額定值(VDS)：確保MOSFET的漏源電壓高于電路中的最大工作電壓。
電流額定值(ID)：根據應用中的最大負載電流選擇適當的額定電流，確保在最大負載下安全運行。
導通電阻(Rds(on))：選擇導通電阻低的MOSFET，以減少導通損耗，提高效率。例如，Cmos的CMD5950A在VGS=-6V,ID=-8A時的導通內阻不超過55mΩ。例舉Cmos的CMD5950A是一款-100V的P型溝道場效應MOSFET進行介紹，其主要性能參數如下：
漏源電壓 (VDS)：-100V
連續漏極電流 (ID)：常溫下可達-33A
封裝類型：TO-251/TO-252，具有低熱阻，良好的散熱特性
閾值電壓 (VGS(th))：典型值均不大于-4V
導通電阻 (RDS(ON))：在VGS=-10V，ID=-10A的條件下不超過52mΩ
CMD5950A客戶在-96V的電動車防盜器應用中表現出色，表現出卓越抗沖擊能力，在較低輸入功率情況下，保持大功率輸出，而且保障了設備在戶外復雜的環境中安全、穩定、高效的運行。
客戶運用Cmos產品開發出的電動車防盜器，性能穩定，實現量產。
優秀的電阻特性
注意：由CMD5950A的Vgs-Rds變化測試圖發現，在Vgs=10V時，MOSFET處于導通內阻最理想狀態。
Cmos一直以做高品質MOSFET為企業經營理念。多年來，我們也是這樣在踐行，很多產品贏得了市場認可。
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