CMH90N20：逆變器的優選MOS

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CMH90N20采用先進的平面DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器和SMPS、UPS等電路中。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性，是市場非常認可、成為逆變器的優選MOS元件。

CMH90N20的主要電氣特性包括： 

耐壓與電流能力：CMH90N20的耐壓（BVDSS）為200V，在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）可達100A。這使得CMH90N20在高功率大電流應用中表現出色，特別適用于逆變器和SMPS、UPS電路。

抗沖擊能力強：CMH90N20采用先進的平面DMOS技術，單次雪崩能量為3240mJ，使其有很強的抗沖擊能力，能承受高能量脈沖，提升了其耐用性和可靠性。

低熱阻：CMH90N20采用TO-247A-LL封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）低至0.38℃/W。這意味著在大功率工作時，器件能夠有效地將熱量散發出去，防止過熱，提高了系統的穩定性和可靠性。 

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMH90N20的導通電阻（RDS(on)）不超過25mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，還提高了整體電路的能效，使得在逆變器等電路使用中效率更高。

CMH90N20 MOS管由于其優異的特性，適用于多種應用場景，特別是在逆變器和SMPS、UPS電路中。

逆變器電路：在逆變器應用中，MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效，CMH90N20表現出色，能夠很好地滿足電路需求。

SMPS、UPS電路：CMH90N20的大電流、高EAS、低熱阻、低導通電阻確保電路高效、穩定、可靠的性能。

MOS管在電力電子中起到重要作用，其性能直接影響整個電路的效率和穩定性。MOS管的導通電阻（RDS(on)）和熱阻（RθJC）是決定其導通性能和耐用性的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗，提高效率，而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱，使器件不會過熱，從而延長其使用壽命。

CMH90N20 MOS管采用的TO-247A-LL封裝提供了良好的散熱途徑，這在高功率應用中特別重要。其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝，CMOS成功地將這些特性集成到CMH90N20中，使其在逆變器和SMPS、UPS電路應用中具備出色的表現。